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型号： BLF6G10LS-200RN,11
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10LS-200RN,11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10LS-200RN,11价格参考￥561.89-￥561.89。NXP SemiconductorsBLF6G10LS-200RN,11封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF6G10LS-200RN,11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10LS-200RN,11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的 BLF6G10LS-200RN,11 是一款射频晶体管（RF FET/MOSFET），主要用于高频、高功率射频放大器的设计与应用。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 通信系统
   - 基站设备：适用于蜂窝通信基站中的射频功率放大器，支持多种无线通信标准（如 GSM、CDMA、LTE 和 5G）。
   - 卫星通信：用于卫星地面站的上行链路功率放大器，提供高效率和高线性度的射频信号放大。
   - 对讲机和无线电通信：在专业无线电通信设备中，用于提升发射功率和覆盖范围。

 2. 雷达系统
   - 在脉冲雷达或连续波雷达中，作为功率放大器的核心元件，提供高增益和高输出功率，满足探测距离和精度要求。

 3. 广播系统
   - 调频广播（FM）：用于 FM 广播发射机的末级功率放大器，确保信号能够覆盖广泛的区域。
   - 数字音频广播（DAB）：支持数字广播系统的高功率输出需求。

 4. 工业、科学和医疗（ISM）领域
   - 工业加热：用于射频感应加热设备，例如金属热处理、塑料焊接等。
   - 医疗设备：在某些医疗成像或治疗设备中，用于射频信号的高效放大。

 5. 测试与测量
   - 在射频测试仪器中，作为信号源的功率放大模块，用于生成高功率射频信号以测试其他设备的性能。

 6. 航空航天与国防
   - 用于军用通信、电子战系统和导航设备中的射频功率放大器，满足严苛的工作环境要求。

 特性优势
- 高功率输出：能够在射频范围内提供较高的功率输出，适合需要大功率的应用场景。
- 高效率：优化的 MOSFET 设计提高了能量转换效率，降低了功耗和散热需求。
- 宽带能力：支持较宽的频率范围，适应多种射频应用需求。

总结来说，BLF6G10LS-200RN,11 以其高性能和可靠性，广泛应用于通信、广播、雷达、工业和国防等领域，是射频功率放大器设计的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G10LS-200RN,11
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT502B
其它名称	934063255118
功率-输出	40W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	20dB
封装/外壳	SOT-502B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	100
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.4A
频率	871.5MHz ~ 891.5MHz
额定电流	49A