Datasheet下载- 型号： BLF4G20LS-130,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF4G20LS-130,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF4G20LS-130,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF4G20LS-130,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF4G20LS-130,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF4G20LS-130,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF4G20LS-130,112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 2–2.7 GHz 频段（覆盖 LTE、5G NR Sub-6 GHz、WCDMA 和 WiMAX 等）设计。其典型应用场景包括： - 5G 基站宏蜂窝/微蜂窝功率放大器（PA）：支持多载波高效率运行，适用于 2.6 GHz（B7/B38/B41）等主流5G频段，满足高线性度与高输出功率（连续波下典型输出达130 W，脉冲模式更高）需求； - 宽带无线通信基础设施：用于分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）及有源天线单元（AAU）中的末级射频功放模块； - 广播与工业射频源：在2.15–2.7 GHz范围内可用于ISM应用、RF加热或等离子体发生器等中高功率射频能量发射场景； - 测试测量设备：作为信号源或功率放大模块，用于射频一致性测试、EMC预兼容测试等系统。 该器件采用高热效陶瓷封装（SOT1222），具备优异的热稳定性和可靠性，并支持宽带匹配设计，便于简化外围电路。需配合NXP推荐的偏置电路、输入/输出匹配网络及散热方案使用，以发挥最佳线性度（ACLR）、效率（DE/PAE）和增益性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF4G20LS-130,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-2414 |
| 功率-输出 | 130W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.6dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 15A |
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