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- 型号： BLF4G10LS-120,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF4G10LS-120,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF4G10LS-120,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF4G10LS-120,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF4G10LS-120,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF4G10LS-120,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF4G10LS-120,112 是恩智浦（NXP）推出的高性能LDMOS射频功率晶体管，专为4G/5G蜂窝基站和广播发射系统设计。其主要应用场景包括： - 宏基站（Macro Base Station）功率放大器（PA）：适用于2.3–2.7 GHz频段（如LTE Band 40/41、n41/n77/n78等），支持高平均输出功率（典型120 W连续波，峰值更高），满足大规模MIMO和高阶调制（如256-QAM）对线性度与效率的严苛要求。 - 有源天线单元（AAU）与小型化射频拉远单元（RRU）：凭借高增益（>18 dB）、高漏极效率（典型65% @ 2.6 GHz）及集成ESD保护与热稳定性，适合紧凑型、高可靠性室外设备。 - 数字预失真（DPD）兼容应用：优异的宽带线性度（ACLR < –45 dBc）使其可配合先进DPD算法，有效抑制邻道干扰，提升频谱利用率。 - 广播与宽带无线接入：亦可用于UHF频段电视广播激励器或点对多点通信系统（如WiMAX遗留系统）的末级功放。 该器件采用陶瓷封装（SOT1222），支持风冷/液冷散热，工作结温达200°C，具备出色的长期可靠性与抗负载失配能力（VSWR ≥ 10:1），广泛应用于电信设备商（如华为、爱立信、中兴）的商用基站射频链路中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF4G10LS-120,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-2404 |
| 功率-输出 | 48W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 650mA |
| 频率 | 920MHz ~ 960MHz |
| 额定电流 | 12A |
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