Datasheet下载- 型号： BLA0912-250R,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLA0912-250R,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLA0912-250R,112价格参考。NXP SemiconductorsBLA0912-250R,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLA0912-250R,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLA0912-250R,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLA0912-250R,112 是一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号专为高频和高功率射频应用设计，具有优异的性能表现。以下是其主要应用场景： 1. 射频放大器 该器件适用于各种射频功率放大器的设计，包括广播、通信和工业应用。它能够在高频段（如 S 波段或更高频率）提供高增益和高效率。 2. 无线通信系统 在无线通信领域，BLA0912-250R,112 可用于基站、中继站和其他射频设备中，支持高效的信号传输与放大。例如，在蜂窝网络、卫星通信和点对点微波链路中发挥重要作用。 3. 广播电视发射机 此型号适合用于电视和广播电台的射频发射机中，能够处理高功率输出，确保信号覆盖范围广且稳定。 4. 工业加热与等离子体应用 在工业领域，该器件可用于射频感应加热、等离子体生成和材料处理等场景，提供可靠的大功率射频能量输出。 5. 航空航天与国防 BLA0912-250R,112 的高性能特性使其成为雷达系统、电子对抗设备以及导航系统的理想选择，满足严苛的工作条件要求。 6. 测试与测量设备 它也可应用于射频测试仪器中，例如信号发生器或功率放大模块，帮助工程师完成复杂的射频性能评估任务。 总结来说，BLA0912-250R,112 凭借其高功率处理能力、宽频带操作和高效能特点，广泛应用于射频通信、广播、工业加工及国防等领域，是现代射频技术中的关键组件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS NCH 75V SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLA0912-250R,112 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934063382112 |
| 功率-输出 | 250W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 36V |
| 电压-额定 | 75V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 960MHz ~ 1.22GHz |
| 额定电流 | - |
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