Datasheet下载- 型号： BFR505T,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFR505T,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR505T,115价格参考。NXP SemiconductorsBFR505T,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFR505T,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFR505T,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFR505T,115 是 NXP USA Inc. 生产的一款高频双极结型晶体管（BJT），主要用于射频（RF）放大应用。该器件适用于无线通信系统中的射频前端模块，如蜂窝基站、无线接入点、射频中继器等设备。 该晶体管具有良好的高频性能，可在 UHF 和 L 波段范围内工作，适合用于低噪声放大器（LNA）和驱动放大器的设计。其高增益和低失真特性，使其在需要高线性度和高稳定性的射频信号处理电路中表现出色。 此外，BFR505T,115 还常用于广播通信设备、工业控制、测试仪器以及卫星通信系统中，作为关键的信号放大元件。由于其具备良好的热稳定性和可靠性，因此在恶劣工作环境下也能保持稳定的射频性能。 总之，BFR505T,115 主要应用于要求高频、低噪声和高稳定性的射频通信系统中，是现代无线基础设施中的重要组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-416射频双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFR505T,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFR505T,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，6V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 934055891115 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SOT-416 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 9000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.018 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 18mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 0.018 A |
| 零件号别名 | BFR505T T/R |
| 频率 | 9000 MHz |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
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