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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BFP450E6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFP450E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP450E6327价格参考。InfineonBFP450E6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFP450E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP450E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFP450E6327 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能NPN硅锗（SiGe）射频双极晶体管，专为高频、低噪声、高增益应用优化。其典型工作频率达5 GHz（fₜ ≈ 25 GHz），具备低噪声系数（NF ≈ 0.8 dB @ 1.8 GHz）、高增益（Gₐ ≈ 18 dB @ 1.8 GHz）和良好线性度。 主要应用场景包括： • 移动通信前端：广泛用于GSM、UMTS、LTE及早期5G Sub-6 GHz终端设备的低噪声放大器（LNA），如智能手机、平板电脑的接收链路； • 无线基础设施：适用于小型基站（pico/femto cell）、射频拉远单元（RRU）中的宽带LNA或驱动级放大； • 物联网与短距通信：支持Wi-Fi 2.4/5 GHz、Bluetooth、Zigbee等模块的接收前端，兼顾性能与功耗； • 汽车电子：用于车载远程信息处理（Telematics）、V2X（如DSRC）接收模块中的射频信号调理； • 测试测量设备：在便携式频谱分析仪、RF信号发生器等中作宽带前置放大。 该器件采用SOT-343（SC-70）微型封装，支持高密度贴装；符合AEC-Q200（部分批次），具备一定车规兼容性；直流偏置简单（典型Ic = 10–20 mA），易于集成于低电压（2.5–5 V）供电系统。需注意PCB布局需严格控阻抗与接地，以保障高频稳定性与噪声性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN RF 4.5V SOT-343 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfp450.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b291f205c5&fileId=db3a30431400ef680114275d537d074b |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFP450E6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 50mA，4V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-SOT343-4 |
| 其它名称 | BFP450INDKR |
| 功率-最大值 | 450mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.25dB @ 1.8GHz |
| 增益 | 15.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 24GHz |
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