Datasheet下载- 型号： BFL4036-1E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFL4036-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFL4036-1E价格参考。ON SemiconductorBFL4036-1E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFL4036-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFL4036-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFL4036-1E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能射频（RF）LDMOS功率晶体管，专为高频、高效率、宽带应用设计。其典型工作频率范围为2.4–3.6 GHz，适用于5G小基站（Small Cell）、Wi-Fi 6/6E（802.11ax）接入点、毫米波前端模块及无线回传等通信基础设施场景。 该器件采用先进LDMOS工艺，具备高增益（典型16 dB @ 3.5 GHz）、高输出功率（P1dB约36 dBm，即~4 W）和优异的功率附加效率（PAE > 35%），支持28 V单电源供电，集成ESD保护与优化的输入/输出匹配结构，简化外围电路设计。 典型应用场景包括： • 5G Sub-6 GHz宏站/微站的末级功率放大器（PA）； • 高性能企业级/工业级Wi-Fi 6E路由器与AP的射频功放模块； • 点对点微波无线链路发射端； • 无人机通信、智能交通系统（ITS）等需紧凑尺寸与高线性度的射频子系统。 注意：BFL4036-1E为裸芯片（Die）形式，非标准封装器件，需客户进行贴片封装或嵌入多层PCB模块中，适用于对尺寸、热管理和射频性能有严苛要求的定制化射频设计。不适用于低频开关或通用逻辑控制等常规MOSFET应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 9.6A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFL4036-1E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 520 毫欧 @ 7A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F-3FS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.6A （Tc） |
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