【未分类_BFL4004】封装/厂家_BFL4004中文资料_价格

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型号： BFL4004
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BFL4004由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFL4004价格参考。ON SemiconductorBFL4004封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BFL4004参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFL4004 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BFL4004 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能射频（RF）LDMOS功率晶体管，属于N沟道增强型MOSFET，专为高频、高效率功率放大设计。其典型工作频率范围为1.8–2.7 GHz，适用于蜂窝通信基础设施中的基站射频功率放大器（PA）。

主要应用场景包括：  
✅ 4G LTE / 5G Sub-6 GHz 基站功放：支持宏基站和小型基站（Small Cell）的末级功率放大，具备高增益（典型18 dB）、高输出功率（连续波下可达40 W，脉冲模式更高）及优异的功率附加效率（PAE > 60%）。  
✅ 无线通信基础设施：如分布式天线系统（DAS）、中继器、直放站等需稳定高线性度射频放大的设备。  
✅ 工业与专用无线系统：如公共安全通信（TETRA、P25）、宽带无线接入（WiMAX遗留系统）及物联网网关的高可靠性射频前端。

该器件采用陶瓷封装（SOT-1227A），具备良好的热稳定性与散热性能，支持偏置在AB类以兼顾线性度与效率，并兼容数字预失真（DPD）技术，满足现代通信对ACLR和EVM的严苛要求。

注意：BFL4004非通用开关型MOSFET，不适用于电源转换、电机驱动或低频开关应用。其设计聚焦于射频功率放大，需配合匹配网络、稳定偏置电路及良好散热方案使用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BFL4004
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	710pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	36nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.5 欧姆 @ 3.25A，10V
供应商器件封装	TO-220FI（LS）
功率-最大值	2W
包装	散装
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3 整包
标准包装	100
漏源极电压(Vdss)	800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.3A （Ta）