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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BFG10/X,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG10/X,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG10/X,215价格参考。NXP SemiconductorsBFG10/X,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFG10/X,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG10/X,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG10/X,215 是恩智浦（NXP Semiconductors）推出的高性能硅NPN射频双极结型晶体管（RF BJT），专为VHF/UHF频段的低噪声、高增益放大应用设计。其典型工作频率范围为30–500 MHz，具有低噪声系数（NF ≈ 1.4 dB @ 150 MHz）、高功率增益（Gₐ ≈ 16 dB @ 150 MHz）和良好线性度，采用SOT-23小型表面贴装封装。 主要应用场景包括： ✅ 车载收音机与AM/FM调谐器前端低噪声放大器（LNA）——利用其低噪声与高增益特性提升接收灵敏度； ✅ 无线通信设备中的VHF/UHF射频预放与中频放大电路，如对讲机、无绳电话、遥控接收模块； ✅ 电视调谐器与机顶盒的高频头（Tuner）输入级放大，增强微弱信号捕捉能力； ✅ 工业/民用射频传感器、无线数据链路（如Sub-1 GHz ISM频段）的接收通道前端； ✅ 教学与开发板中的射频基础实验模块，因其参数稳定、易于偏置（推荐Ic ≈ 5 mA，Vce ≈ 6 V）。 该器件已停产（EOL），但仍在部分存量设备维修及老平台兼容设计中使用。设计时需注意热稳定性与PCB布局对射频性能的影响，并建议参考NXP原厂《BFG10/X,215 Data Sheet》进行阻抗匹配与去耦设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFG10/X,215 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 25 @ 50mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-143B |
| 其它名称 | 568-6184-6 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | 7dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 8V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 250mA |
| 频率-跃迁 | 1.9GHz |
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