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- 型号： BF909AWR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF909AWR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF909AWR,115价格参考。NXP SemiconductorsBF909AWR,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF909AWR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF909AWR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF909AWR,115 是 NXP USA Inc. 推出的高性能硅 N 沟道 RF MOSFET（射频场效应晶体管），专为高频、低噪声、小信号放大应用优化。其典型工作频率达 1–2 GHz，具备低噪声系数（NF ≈ 1.3 dB @ 900 MHz）、高增益（Gₐ ≈ 18 dB @ 900 MHz）和优良的输入/输出匹配特性。 主要应用场景包括： ✅ 蜂窝通信前端：广泛用于 GSM、GPRS、EDGE 等 900 MHz 频段移动终端的低噪声放大器（LNA），如功能手机、M2M 模块及物联网终端； ✅ 无线基础设施辅助电路：适用于基站接收链路中的预选放大、分集接收通道等对噪声敏感的射频接收级； ✅ ISM 频段设备：支持 868/915 MHz 工业、科学与医疗频段应用，如无线传感器网络、智能电表、RFID 读写器； ✅ 汽车电子：满足 AEC-Q101 可靠性认证（BF909AWR,115 为符合 AEC-Q101 的汽车级版本），可用于车载远程无钥匙进入（RKE）、TPMS（胎压监测）接收模块等； ✅ 便携式无线电设备：如对讲机、PMR446 设备的接收前端，兼顾低功耗（ID ≈ 5 mA 典型偏置）与高灵敏度。 该器件采用超小型 SOT323（SC-70）封装，节省 PCB 面积，适合高密度贴装；内置 ESD 保护，增强系统鲁棒性。需注意其为小信号器件，不适用于功率放大（PA）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143R |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF909AWR,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 934055117115 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 2dB |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 7V |
| 电流-测试 | 15mA |
| 频率 | 800MHz |
| 额定电流 | 40mA |
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