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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R射频MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-连续漏极电流 | 30 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF1211R,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF1211R,215 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-功率耗散 | 180 mW |
| Vds-漏源极击穿电压 | 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | SOT-143R |
| 其它名称 | 568-1960-6 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 180 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | 0.9dB |
| 增益 | 24 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-143R |
| 封装/箱体 | SOT-143-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 6 V |
| 漏极连续电流 | 30 mA |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 6V |
| 电流-测试 | 15mA |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 6 V |
| 零件号别名 | BF1211R |
| 频率 | 800 MHz |
| 额定电流 | 30mA |