Datasheet下载- 型号： BF1205,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1205,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1205,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1205,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1205,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1205,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1205,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款硅 N 沟道 RF MOSFET（射频场效应晶体管），专为高频、中功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 30–500 MHz，具备高增益（典型 Gp > 15 dB @ 175 MHz）、良好线性度和稳定可靠性，采用 SOT-223 封装，适合表面贴装。 主要应用场景包括： ✅ 宽带射频功率放大器：广泛用于业余无线电（HAM）、短波通信设备及宽带中继器中的末级或驱动级放大； ✅ VHF/UHF 无线通信系统：如车载电台、对讲机基站、公共安全通信设备（警用/消防）的发射链路； ✅ 工业与民用射频模块：如 RFID 读写器射频前端、无绳电话（DECT）、无线麦克风发射单元等中低功率射频发射电路； ✅ 教育与开发平台：因封装通用、驱动简单、稳定性好，常被用于高校射频实验板、原型验证及小批量射频模块设计。 需注意：该器件为非匹配型晶体管，实际应用中需配合输入/输出匹配网络（LC 或微带结构）以实现最佳功率传输与效率；推荐工作电压 VDS ≤ 12 V，连续波输出功率约 0.5–1 W（取决于偏置与散热条件）。不适用于 GHz 频段或大功率广播发射场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 10V 30MA 6TSSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1205,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6157-6 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | 1.2dB |
| 增益 | 26dB |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 10V |
| 电流-测试 | 12mA |
| 频率 | 800MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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