Datasheet下载- 型号： BF1101WR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1101WR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1101WR,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1101WR,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1101WR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1101WR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BF1101WR,115 是一款硅基射频场效应晶体管（RF FET），属于MOSFET类别，专为高频小信号放大应用设计。该器件常用于甚高频（VHF）和特高频（UHF）频段的无线通信系统中。 主要应用场景包括：电视调谐器、FM收音机前端放大器、模拟与数字电视接收模块、车载广播接收系统以及各类低噪声射频输入级电路。BF1101WR,115具有低噪声系数和高增益特性，适合在信号微弱的环境中提升接收灵敏度，确保信号清晰稳定。 其SOT-323封装小巧紧凑，适用于空间受限的便携式设备或高密度PCB布局，广泛应用于消费电子和汽车电子领域。例如，在智能座舱系统中作为广播信号的低噪声放大器，或在机顶盒、多媒体接收器中增强射频前端性能。 总体而言，BF1101WR,115是一款高性能、低功耗的射频小信号放大器解决方案，适用于对噪声和增益有较高要求的中高频模拟射频电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1101WR,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 568-6140-6 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | 1.7dB |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 7V |
| 电流-测试 | 12mA |
| 频率 | 800MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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