【未分类_BF1101R,215】封装/厂家_BF1101R,215中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： BF1101R,215
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BF1101R,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1101R,215价格参考。NXP SemiconductorsBF1101R,215封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BF1101R,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1101R,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BF1101R,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款硅N沟道RF MOSFET晶体管，专为高频、低噪声射频放大应用设计。其典型工作频率范围为30–500 MHz，具有低噪声系数（NF ≈ 1.2 dB @ 150 MHz）、高增益（GT ≈ 15 dB @ 150 MHz）和优良的输入/输出阻抗匹配特性（50 Ω系统兼容），采用SOT-23小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局。

主要应用场景包括：  
✅ VHF/UHF频段接收前端：如车载收音机、对讲机、无线麦克风、业余无线电接收机的低噪声放大器（LNA），用于提升微弱信号灵敏度；  
✅ 模拟/数字电视调谐器模块：在TV Tuner IC前级作射频预放，增强信道选择性与抗干扰能力；  
✅ ISM频段（如433 MHz、470–510 MHz）无线模块：适用于智能电表、安防传感器、工业遥控等低功耗、中短距无线通信系统的接收链路；  
✅ 宽带窄带射频接收子系统：配合SAW滤波器与混频器，构成超外差或零中频架构中的第一级放大。

需注意：该器件为电压控制型、非功率放大器件（IDSS ≈ 8–16 mA），不适用于发射端功放或大信号驱动；推荐采用稳定偏置（典型VGS ≈ –0.7 V，ID ≈ 5 mA）及良好射频接地与去耦设计以保障噪声与稳定性性能。  

（字数：298）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143R
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BF1101R,215
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT-143R
其它名称	568-6139-6
功率-输出	-
包装	Digi-Reel®
噪声系数	1.7dB
增益	-
封装/外壳	SOT-143R
晶体管类型	N 通道双门
标准包装	1
电压-测试	5V
电压-额定	7V
电流-测试	12mA
频率	800MHz
额定电流	30mA