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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BD535J
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BD535J由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD535J价格参考。Fairchild SemiconductorBD535J封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BD535J参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BD535J 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BD535J 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的一款 NPN 型中功率双极结型晶体管（BJT），采用 TO-220 封装，具有 80V 集电极-发射极击穿电压（VCEO）、5A 连续集电极电流（IC）和典型直流电流增益（hFE）为 40–120（在 IC = 2A, VCE = 4V 条件下）。 其典型应用场景包括： ✅ 中等功率开关电路：如电源管理中的继电器驱动、电机启停控制、LED/照明模块的通断控制； ✅ 线性稳压器与串联调整管：在低压差（LDO）或分立式稳压电路中作为调整元件（需注意散热设计）； ✅ 音频放大器输出级：适用于小功率AB类音频功放的末级驱动（常配对使用BD536J构成互补对管）； ✅ 工业控制接口电路：用于PLC输出模块、传感器信号切换、电磁阀/小型螺线管驱动等。 该器件具备内置基极-发射极反向二极管（B-E junction diode），有助于抑制关断时的反向感生电压，提升可靠性。但需注意其功率耗散能力有限（PD ≈ 65W，需配合适当散热片），不适用于高频（>1MHz）或大功率射频场景。设计时应确保工作点远离二次击穿区，并合理设置基极限流电阻以保障饱和导通。 综上，BD535J 主要面向成本敏感、中等功率、中低频（≤100kHz）的工业与消费类分立式模拟/开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 60V 8A TO-220 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BD535J |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 800mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 2A，2V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,200 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 频率-跃迁 | 12MHz |
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