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  • 型号: BC857BT-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC857BT-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC857BT-7-F价格参考。Diodes Inc.BC857BT-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC857BT-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC857BT-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated 的 BC857BT-7-F 是一款常用的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管,广泛应用于各种电子电路中。其应用场景主要包括以下几个方面:

1. 开关电路:由于其快速开关特性和良好的电流放大能力,BC857BT-7-F 常用于数字电路中的开关元件,控制负载的通断,如驱动 LED、继电器或小型电机。

2. 信号放大:在模拟电路中,该晶体管可用于音频信号或传感器信号的低频放大,适用于低功率放大场景,如音频前置放大器或传感器信号调理电路。

3. 逻辑电平转换:在数字系统中,常用于不同电压域之间的信号转换,例如将 3.3V 的 MCU 信号转换为 5V 信号以驱动外围设备。

4. 接口电路:在嵌入式系统或通信设备中,用于增强信号驱动能力或隔离不同电路模块,提高系统稳定性和可靠性。

5. 便携式设备:由于采用小型封装(如 SOT-23),适合用于空间受限的便携式电子产品,如智能手机、穿戴设备、无线传感器等。

总结:BC857BT-7-F 因其通用性强、性价比高、封装小巧,广泛应用于开关控制、信号放大、电平转换及接口电路中,适合于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP 45V SOT523两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated BC857BT-7-F-

数据手册

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产品型号

BC857BT-7-F

PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

650mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

220 @ 2mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-523

其它名称

BC857BT-FDICT

功率-最大值

150mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-523

封装/箱体

SOT-523-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

150 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

475 at - 2 mA at - 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

220

系列

BC857BT

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 45 V

集电极—基极电压VCBO

- 50 V

集电极—射极饱和电压

- 300 mV

集电极连续电流

- 0.1 A

频率-跃迁

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