Datasheet下载- 型号： BC847CTT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847CTT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847CTT1G价格参考。ON SemiconductorBC847CTT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BC847CTT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC847CTT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC847CTT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型双极性晶体管（BJT），属于 BC847 系列。它广泛应用于各种低功率电子电路中，以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - BC847CTT1G 可用于音频、射频和其他信号的放大。其低噪声特性和稳定的增益使其非常适合在小型音频设备（如耳机放大器或麦克风前置放大器）中作为信号放大元件。 2. 开关应用 - 该晶体管常被用作电子开关，适用于驱动 LED、继电器、小型电机或其他低功率负载。例如，在智能家居系统中，可以用来控制灯光或传感器的状态切换。 3. 电源管理 - 在一些低功率电源管理电路中，BC847CTT1G 可以用作电流调节器或稳压器的一部分，帮助稳定输出电压或限制电流。 4. 传感器接口 - 该晶体管可用于将传感器的微弱信号放大到可检测水平，或者作为传感器的驱动开关。例如，在温度传感器、光敏电阻或霍尔传感器的电路中起到信号处理的作用。 5. 通信与无线设备 - BC847CTT1G 的高频特性使其适合于低功率射频（RF）电路中的信号调制和解调。它可以用于简单的无线通信模块或遥控器电路中。 6. 消费电子产品 - 在便携式设备（如遥控器、玩具、计算器等）中，该晶体管可以用作信号放大或开关元件，帮助实现功能控制。 7. 教育与实验 - 由于其低成本和易用性，BC847CTT1G 经常被用于电子学教学和实验项目中，帮助学生学习晶体管的基本工作原理和应用。 特点总结 - 低功耗：适合电池供电的小型设备。 - 高增益：具有较高的电流增益（hFE），适合信号放大。 - 可靠性强：能够在较宽的温度范围内稳定工作。 - 封装小巧：采用 SOT-23 封装，节省空间，适合紧凑型设计。 总之，BC847CTT1G 是一种通用性强、性价比高的 NPN 晶体管，适用于多种低功率、小信号的电子电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN GP 45V 100MA SC75-3两极晶体管 - BJT 100mA 50V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC847CTT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847CTT1G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-75，SOT-416 |
| 其它名称 | BC847CTT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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