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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC846BDW1T1H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC846BDW1T1H价格参考。ON SemiconductorBC846BDW1T1H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC846BDW1T1H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC846BDW1T1H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC846BDW1T1H 是安森美(ON Semiconductor)推出的双极结型晶体管(BJT)阵列,采用SOT-363(SC-70-6)封装,内含两个独立的NPN晶体管,具有匹配特性(共发射极配置,引脚对称),hFE典型值为220–475(Ic=10mA, Vce=5V),最大VCEO=65V,IC(max)=100mA,fT≈100MHz。 其典型应用场景包括: 1. 信号切换与逻辑电平转换:常用于微控制器GPIO扩展、I²C/SPI总线缓冲、LED驱动控制等低功耗数字接口电路; 2. 差分放大与电流镜电路:因双管匹配性好、参数一致性高,适用于精密模拟前端中的简易差分对或偏置电流源; 3. 电源管理辅助电路:如LDO使能控制、负载开关驱动、电池电压检测中的电平移位与信号隔离; 4. 消费类电子与便携设备:智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中空间受限场景下替代分立双晶体管方案,节省PCB面积并提升可靠性; 5. 工业传感器接口:用于调理霍尔传感器、光电开关等弱信号输出的前置放大或驱动级。 该器件符合AEC-Q101车规标准(注:BC846BDW1T1H为工业级,非车规;若需车规请选用带“AEC-Q101”标识的型号如BC846BDW1T3G),具备良好的热稳定性与ESD防护能力(HBM > 4kV),支持无铅回流焊工艺。 (字数:298)