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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BAS21SW,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAS21SW,115价格参考¥0.22-¥0.32。NXP SemiconductorsBAS21SW,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BAS21SW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BAS21SW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BAS21SW,115 是一款表面贴装的二极管阵列,属于高速开关二极管类型,常用于信号处理和保护电路中。该器件采用双二极管结构(共阴极配置),封装小巧(如SOT-23),适合高密度PCB布局。 其主要应用场景包括: 1. 信号整流与切换:广泛应用于通信设备、消费类电子产品(如手机、平板)中的高频信号整流与切换,因其快速开关特性(反向恢复时间短),可高效处理数字信号。 2. 静电放电(ESD)保护:在数据线、I/O端口(如USB、音频接口)中提供瞬态电压保护,防止静电或浪涌损坏敏感元件。 3. 电压钳位与电平转换:用于逻辑电路中的电平移位和电压钳位,确保信号完整性,常见于微控制器、传感器接口等低电压系统中。 4. 射频与电视调谐器电路:因具备良好的高频性能,也适用于电视、收音机等设备的调谐和检波电路。 BAS21SW,115 具有低漏电流、高反向击穿电压(约70V)和高可靠性,适合工业控制、汽车电子(非动力部分)及便携式设备等对稳定性和空间要求较高的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ARRAY 250V 225MA SOT323二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW 200V 200MA HS UMT3 |
| 产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用,功率,开关,NXP Semiconductors BAS21SW,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BAS21SW,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 200V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 1 对串联 |
| 产品 | Switching Diodes |
| 产品种类 | 二极管 - 通用,功率,开关 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-10303-1 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | 50ns |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 峰值反向电压 | 250 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 50 ns |
| 最大二极管电容 | 2 pF |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 625 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1.25 V |
| 正向连续电流 | 125 mA |
| 热阻 | 300°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 250V |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 225mA(DC) |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Dual |