Datasheet下载- 型号： ATP602-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATP602-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATP602-TL-H价格参考。ON SemiconductorATP602-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATP602-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATP602-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATP602-TL-H 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装SOT-23封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约1.2Ω @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg约2.3nC）及快速开关特性。其额定电压为20V，连续漏极电流ID为3.5A（Tc=25°C），适用于低压、中低功率场景。 主要应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB接口过流保护； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中提升效率，替代肖特基二极管； ✅ 电池供电系统保护电路：配合充电IC实现电池充放电路径控制、反向电流阻断及过流/短路保护； ✅ 微型电机驱动与LED驱动：用于小型振动马达、RGB LED恒流控制等对尺寸和功耗敏感的场合； ✅ IoT传感器节点与可穿戴设备：凭借小尺寸（SOT-23）、低静态电流和高可靠性，满足空间受限与能效严苛需求。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至0.5V），可直接由MCU GPIO控制，无需额外驱动电路，显著简化设计并降低成本。注意其最大结温为150°C，需在PCB布局中合理铺铜散热以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ATP602-TL-H |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | ATPAK |
| 其它名称 | 869-1089-6 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
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