Datasheet下载- 型号： ATF-531P8-TR2
- 制造商： Avago Technologies
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-531P8-TR2由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-531P8-TR2价格参考。Avago TechnologiesATF-531P8-TR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATF-531P8-TR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-531P8-TR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited的型号ATF-531P8-TR2属于晶体管 - FET，MOSFET - 射频类别，主要应用于高频射频领域。以下是其典型应用场景： 1. 射频放大器：该器件适用于低噪声放大器（LNA）和功率放大器的设计，用于提升无线通信系统中的信号强度，同时保持较低的噪声水平。 2. 射频开关：在射频前端模块中，ATF-531P8-TR2可用于实现高效的射频信号切换，支持多频段和多模式通信设备，如智能手机、基站和其他无线通信设备。 3. 混频器与调制解调器：该MOSFET可用于设计高性能的射频混频器，将输入信号转换到不同频率，广泛应用于无线通信、卫星通信和雷达系统。 4. 滤波与匹配网络：由于其优异的高频性能，该器件可用于射频滤波器和阻抗匹配网络，优化信号传输效率并减少损耗。 5. 无线通信设备：包括Wi-Fi、蓝牙、GPS和蜂窝网络等应用，该器件可提供稳定的射频性能，支持高速数据传输和高质量通信。 6. 测试与测量设备：在频谱分析仪、信号发生器等测试设备中，该MOSFET可用于提高射频信号的精度和稳定性。 7. 卫星通信与雷达系统：该器件的高频特性使其适合于卫星通信和雷达系统的射频组件，满足高可靠性和高性能要求。 总结来说，ATF-531P8-TR2凭借其卓越的射频性能，广泛应用于无线通信、射频前端模块、测试设备以及航空航天等领域，为现代通信技术提供了关键支持。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC PHEMT 2GHZ 4V 135MA 8-LPCC |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0845EN |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | ATF-531P8-TR2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-LPCC（2x2） |
| 功率-输出 | 24.5dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.6dB |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-测试 | 4V |
| 电压-额定 | 7V |
| 电流-测试 | 135mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 300mA |
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