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产品简介:
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Broadcom Limited生产的ATF-53189-TR1是一款射频(RF)增强型P沟道MOSFET晶体管,广泛应用于高频、低噪声和高增益的射频电路设计中。以下是其主要应用场景: 1. 射频放大器:该型号适合用于低噪声放大器(LNA)和其他射频放大器的设计,能够提供高增益和低失真性能,适用于无线通信设备。 2. 射频开关:ATF-53189-TR1可用于射频开关电路,支持快速切换和低插入损耗,常见于移动通信、卫星通信和雷达系统中。 3. 无线通信设备:在蜂窝基站、Wi-Fi模块、蓝牙设备和其他无线通信系统中,这款MOSFET可优化信号传输效率和质量。 4. 混频器与调制解调器:在射频前端模块中,该晶体管可以用于混频器或调制解调器电路,实现信号频率转换和处理。 5. 测试与测量设备:在频谱分析仪、网络分析仪等测试设备中,ATF-53189-TR1可用于构建高性能的射频信号路径。 6. 航空航天与国防应用:由于其优异的射频性能,该型号也可用于雷达、导航系统和卫星通信等领域。 总体而言,ATF-53189-TR1以其卓越的射频特性,成为需要高效率、低噪声和宽频带性能的电子设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC PHEMT 2GHZ 4V 135MA SOT-89 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0051EN |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | ATF-53189-TR1 |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 功率-输出 | 21.7dBm |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | 0.8dB |
| 增益 | 17.2dB |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-测试 | 4V |
| 电压-额定 | 7V |
| 电流-测试 | 135mA |
| 频率 | 900MHz |
| 额定电流 | 300mA |