Datasheet下载- 型号： ATF-521P8-TR1
- 制造商： Avago Technologies
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-521P8-TR1由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-521P8-TR1价格参考。Avago TechnologiesATF-521P8-TR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATF-521P8-TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-521P8-TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-521P8-TR1是由Broadcom Limited（安华高）生产的一款射频MOSFET晶体管，广泛应用于射频（RF）和微波通信系统中。该器件采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，具备低噪声、高增益和高线性度等特点，适用于对性能要求较高的高频信号放大场合。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：如蜂窝基站、微波回传系统等，用于射频信号的低噪声放大，提升接收灵敏度； 2. 测试与测量设备：在频谱分析仪、信号发生器等仪器中作为前端放大器，增强微弱信号的处理能力； 3. 卫星通信系统：用于低噪声放大器（LNA）设计，提升卫星信号接收质量； 4. 工业与医疗射频设备：如射频识别（RFID）、医疗成像设备中的射频信号处理模块； 5. 军用与航空航天领域：因其高可靠性，常用于雷达、导航和通信系统中。 该器件采用8引脚DFN封装，适合表面贴装工艺，工作频率范围覆盖从DC到6GHz以上，具备良好的热稳定性和高可靠性，适合高性能射频前端设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA 8-LPCC |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0846EN |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | ATF-521P8-TR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-LPCC（2x2） |
| 功率-输出 | 26.5dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 1.5dB |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | 8-LPCC |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-测试 | 4.5V |
| 电压-额定 | 7V |
| 电流-测试 | 200mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 500mA |
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