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  • 型号: APTM20DAM05G
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供APTM20DAM05G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APTM20DAM05G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APTM20DAM05G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载APTM20DAM05G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APTM20DAM05G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET MOD BOOST CHOP 200V SP6

产品分类

FET - 模块

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Microsemi Power Products Group

数据手册

http://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/8116-aptm20dam05g-rev3-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog

产品图片

产品型号

APTM20DAM05G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 10mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

27400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

448nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 毫欧 @ 158.5A,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

供应商器件封装

SP6

功率-最大值

1136W

包装

散装

安装类型

底座安装

封装/外壳

SP6

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

317A

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