Datasheet下载- 型号： APTM120DA30CT1G
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APTM120DA30CT1G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APTM120DA30CT1G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APTM120DA30CT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APTM120DA30CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APTM120DA30CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOD MOSFET SIC DIODE 1200V SP1 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8074 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | APTM120DA30CT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | POWER MOS 8™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 560nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | SP1 |
| 功率-最大值 | 657W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP1 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
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