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详细数据请看参考数据手册
- 型号： APTM100UM65DAG
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APTM100UM65DAG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APTM100UM65DAG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APTM100UM65DAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APTM100UM65DAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APTM100UM65DAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APTM100UM65DAG 是由 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）生产的一款碳化硅（SiC）MOSFET器件，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率、高频率和高温工作环境。 其主要应用场景包括： 1. 电力电子变换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源模块，适用于需要高效率和高功率密度的设计。 2. 工业电源系统：包括工业电机驱动、不间断电源（UPS）和储能系统，得益于其高可靠性和耐高温特性。 3. 电动汽车（EV）充电设备：用于车载充电器或充电桩电源模块，支持高电压输入输出和快速充电需求。 4. 可再生能源系统：如太阳能逆变器和风能变流器，SiC MOSFET的优势在于提高能源转换效率并减小系统体积。 5. 高频率开关电源：适用于要求高频操作的开关电源（SMPS），有助于减小电感器和变压器尺寸，提高整体效率。 综上，APTM100UM65DAG适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的电力电子应用，尤其适合高温、高压和高频率工作环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/8035-aptm100um65dag-rev2-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | APTM100UM65DAG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 20mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 28500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1068nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 78 毫欧 @ 72.5A，10V |
| 供应商器件封装 | SP6 |
| 功率-最大值 | 3250W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 145A |
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