图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： ALD1101PAL
- 制造商： Advanced Linear Devices
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD1101PAL由Advanced Linear Devices设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD1101PAL价格参考。Advanced Linear DevicesALD1101PAL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ALD1101PAL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ALD1101PAL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8DIPMOSFET Dual N-Channel Pair |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）配对 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 mA |
| Id-连续漏极电流 | 40 mA |
| 品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD1101PAL- |
| mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定，Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ALD1101PAL |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10.6 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10.6 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10.6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10.6 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 欧姆 @ 5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 其它名称 | 1014-1002 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Advanced Linear Devices |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | PDIP-8 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 0.01 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25mA |
| 系列 | ALD1101P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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