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详细数据请看参考数据手册
- 型号： AGR09045EF
- 制造商： Advanced Semiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AGR09045EF由Advanced Semiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AGR09045EF价格参考。Advanced Semiconductor, Inc.AGR09045EF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AGR09045EF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AGR09045EF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.25 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.25 A |
| 品牌 | Advanced Semiconductor, Inc. |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频MOSFET晶体管 RF Transistor |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Advanced Semiconductor, Inc. AGR09045EF |
| 产品型号 | AGR09045EF |
| Pd-PowerDissipation | 117 W |
| Pd-功率耗散 | 117 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.8 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF Power Transistor |
| 功率耗散 | 117 W |
| 商标 | Advanced Semiconductor, Inc. |
| 封装 | Tray |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 4.25 A |
| 类型 | MOSFET Power |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 15 V |
| 频率 | 895 MHz |
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