Datasheet下载- 型号： AFT26HW050GSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT26HW050GSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT26HW050GSR3价格参考。Freescale SemiconductorAFT26HW050GSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT26HW050GSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT26HW050GSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AFT26HW050GSR3是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频、高功率的无线通信系统。该器件典型应用于ISM频段（工业、科学和医疗频段）、蜂窝通信基础设施中的基站功率放大器，以及陆地移动无线电（如公共安全通信、应急通信系统）等场景。 其工作频率覆盖从DC到4 GHz左右，具备高增益、高效率和良好的热稳定性，适合在高功率条件下长时间稳定运行。因此，常用于需要高效射频输出的设备中，如小型基站（Micro Base Station）、分布式天线系统（DAS）、无线回传链路及宽带无线接入系统。 此外，AFT26HW050GSR3采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，可在严苛环境下可靠工作，适用于室外通信设备和工业级应用。由于其高线性度和可靠性，也广泛用于航空通信、军事通信等对稳定性要求较高的领域。 总之，AFT26HW050GSR3是一款高性能射频功率MOSFET，主要服务于现代无线通信基础设施，尤其在需要高效率与高稳定性的射频放大场合具有重要应用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 2.6GHZ 50W NI780-4S4G |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT26HW050GSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780GS |
| 功率-输出 | 9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780GS |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 2.62GHz ~ 2.69GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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