Datasheet下载- 型号： AFT26H250-24SR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT26H250-24SR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT26H250-24SR6价格参考。Freescale SemiconductorAFT26H250-24SR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT26H250-24SR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT26H250-24SR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AFT26H250-24SR6 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高性能射频功率放大器中。该器件特别适用于需要高效率、高线性和高可靠性的无线通信系统。 其典型应用场景包括： 1. 蜂窝基站：用于 3G、4G 甚至部分 5G 基站的功率放大器模块，支持如 LTE 和 WCDMA 等主流通信标准。 2. 广播设备：如 FM 广播和电视发射机中的射频放大系统。 3. 工业与商业无线电系统：包括专业移动通信（如 TETRA、iDEN）和微波通信设备。 4. 测试与测量仪器：作为高频信号放大元件使用在射频测试设备中。 5. 航空航天与国防领域：用于雷达、战术通信系统等对可靠性要求极高的环境。 这款 MOSFET 具有良好的热稳定性和高增益特性，适合在 850MHz 至 2700MHz 频率范围内工作，支持多种调制方式，是现代射频功率设计中的关键元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF NCH 65V 2690MHZ NI1230S-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT26H250-24SR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230-4LS2L |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.1dB |
| 封装/外壳 | NI-1230-4LS2L |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 700mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.69GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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