【未分类_AFT26H050W26SR3】封装/厂家_AFT26H050W26SR3中文资料_价格

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型号： AFT26H050W26SR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供AFT26H050W26SR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT26H050W26SR3价格参考。Freescale SemiconductorAFT26H050W26SR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载AFT26H050W26SR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT26H050W26SR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

AFT26H050W26SR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS MOSFET），专为2.6–2.7 GHz频段设计，典型应用于4G LTE及5G NR宏基站的射频功率放大器（PA）末级或驱动级。

其主要应用场景包括：  
- 蜂窝通信基站：适用于2.6 GHz频段的TDD-LTE和5G NR（n41/n77子频段）宏基站发射链路，支持高平均输出功率（典型50 W连续波或更高峰值功率）、高效率（>55%漏极效率）和优异线性度，满足ACLR与EVM严苛指标；  
- 大规模MIMO（Massive MIMO）有源天线单元（AAU）：凭借高可靠性、优良热性能（采用陶瓷封装W26）及宽温度范围（−40°C 至 +100°C结温），适用于紧凑型多通道射频前端模块；  
- 宽带无线接入与专网通信：亦可用于WLAN 6 GHz扩展、点对点微波回传（部分2.6 GHz频段应用）及工业/公共安全宽带通信系统中的高功率射频放大环节。

该器件支持AB类偏置，集成ESD保护，兼容主流基站PA数字预失真（DPD）算法，是面向高能效、高集成度现代无线基础设施的关键射频功率器件。

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