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  • 型号: 74HC573BQ,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供74HC573BQ,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 74HC573BQ,115价格参考¥1.28-¥3.32。NXP Semiconductors74HC573BQ,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载74HC573BQ,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有74HC573BQ,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的型号为 74HC573BQ,115 的逻辑锁存器(Latch)是一种高性能 CMOS 器件,属于 74HC 系列。它通常用于需要数据存储和信号缓冲的应用场景中。以下是其主要应用场景及功能描述:

 1. 数据总线隔离
   - 74HC573 是一个八位透明锁存器,具有三态输出功能。它可以在微处理器系统中用于隔离数据总线,避免信号冲突。
   - 当多个设备共享同一数据总线时,该器件可以通过控制锁存使能(LE)和输出使能(OE)信号,确保只有特定设备的数据被传输到总线上。

 2. 输入/输出端口扩展
   - 在嵌入式系统或单片机应用中,该芯片可以用来扩展有限的 I/O 端口。通过锁存输入数据或将输出数据保持在高阻状态,实现多路复用功能。

 3. 缓存与暂存数据
   - 该器件可用于临时存储来自传感器、外部设备或其他数据源的信息。例如,在工业控制系统中,它可以将传感器读数锁存并传递给主控制器进行进一步处理。

 4. 驱动能力增强
   - 74HC573 具有较高的驱动能力,能够驱动更多负载。因此,在需要驱动 LED 显示屏、继电器或其他高电流负载的情况下,可以用作信号缓冲器或驱动器。

 5. 通信接口设计
   - 在串行通信或并行通信中,此芯片可作为数据缓冲区或同步装置,确保数据传输的稳定性和准确性。例如,在 SPI、I2C 或其他协议接口中,可以使用它来管理数据流。

 6. 时序控制
   - 由于其透明锁存特性,当 LE 输入有效时,输出会立即跟随输入变化;当 LE 关闭时,输出保持当前状态。这种特性非常适合用作时钟同步电路或触发条件下的数据捕捉。

 总结
74HC573BQ,115 广泛应用于计算机外围设备、消费类电子产品、工业自动化、通信设备以及汽车电子等领域。它的典型用途包括数据总线管理、I/O 扩展、信号缓冲和驱动增强等。凭借其低功耗、高可靠性和兼容性,这款器件成为许多数字电路设计中的关键组件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC OCTAL D TRANSP LATCH 20DHVQFN闭锁 OCTAL LATCH

产品分类

逻辑 - 锁销集成电路 - IC

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

逻辑集成电路,闭锁,NXP Semiconductors 74HC573BQ,11574HC

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产品型号

74HC573BQ,115

PCN封装

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PCN组件/产地

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产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24983

产品目录页面

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产品种类

闭锁

传播延迟时间

14 ns at 5 V

供应商器件封装

20-DHVQFN(4.5x 2.5)

其它名称

568-2713-2
935273694115

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

20-VFQFN 裸露焊盘

封装/箱体

DHVQFN-20

工作温度

-40°C ~ 125°C

工厂包装数量

3000

延迟时间-传播

14ns

最大工作温度

+ 125 C

最小工作温度

- 40 C

极性

Non-Inverting

标准包装

3,000

独立电路

1

电压-电源

2 V ~ 6 V

电流-输出高,低

7.8mA,7.8mA

电源电压-最大

6 V

电源电压-最小

2 V

电路

8:8

电路数量

8 Circuit

输入线路数量

8 Line

输出类型

三态

输出线路数量

8 Line

逻辑类型

D 型透明锁存器

逻辑系列

HC

零件号别名

74HC573BQ-G

高电平输出电流

- 7.8 mA

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