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- 型号： 71V67603S133BGGI
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V67603S133BGGI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V67603S133BGGI价格参考。Integrated Device Technology71V67603S133BGGI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V67603S133BGGI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V67603S133BGGI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V67603S133BGGI 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款高速异步SRAM（静态随机存取存储器），容量为2Mb（256K × 8位），采用133MHz访问速度、3.3V供电，封装为119球BGA（BGGI表示工业级温度范围：–40°C 至 +85°C）。 其典型应用场景包括： - 通信设备：用于网络交换机、路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲及地址查找表（如TCAM辅助缓存），满足低延迟、高吞吐需求； - 工业控制与自动化系统：在PLC、运动控制器或实时I/O模块中作为处理器（如MCU或FPGA）的高速本地缓存，保障确定性响应； - 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存大量实时数据的设备中，用作深度数据缓冲； - 军事/航空电子（因工业级温度与高可靠性）：雷达信号处理、航电显示系统中的帧缓存或中间计算暂存； - 嵌入式图像处理：配合图像传感器或视频编解码器，提供像素行/帧级临时存储，支持无等待读写。 该器件不带内置刷新电路（非DRAM）、零等待状态、CMOS工艺，适合对功耗敏感但更强调确定性时序与稳定性的嵌入式场景。需注意其已进入瑞萨产品寿命终止（EOL）阶段，新设计建议评估替代型号（如IS61WV系列或瑞萨新型低功耗SRAM）。
产品参数
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