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- 型号： 71V65602S133BQ
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V65602S133BQ由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V65602S133BQ价格参考。Integrated Device Technology71V65602S133BQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V65602S133BQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V65602S133BQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V65602S133BQ 是由 IDT（Integrated Device Technology，现属瑞萨电子）推出的高速异步静态RAM（SRAM），非“品牌为-”（该表述有误；实际品牌为 IDT/Renesas）。其关键参数包括：2Mb（256K × 8）容量、133MHz访问速度（tAA ≤ 7.5ns）、3.3V供电、采用119-pin BGA（BQ封装）。 典型应用场景包括： 1. 网络通信设备：用作路由器、交换机、网络处理器（NPU）的高速缓存或数据包缓冲区，满足低延迟、高吞吐需求； 2. 工业控制与嵌入式系统：在PLC、运动控制器中作为实时数据暂存器，支持确定性响应； 3. 测试测量仪器：如逻辑分析仪、高速示波器的数据采集缓存，利用其零等待、全异步特性实现连续高速采样； 4. 军事/航空电子：在需宽温、高可靠性环境的板载存储中提供稳定SRAM接口（该型号具备工业级温度范围，部分版本支持扩展温区）； 5. FPGA协处理系统：作为FPGA外部高速共享RAM，用于图像处理、DSP算法中的中间结果暂存。 注：该器件已停产（EOL），当前多用于存量设备维护或替代设计，新项目建议评估瑞萨兼容升级型号（如71V65603系列）或低功耗DDR方案。
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