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- 型号： 71V424L10YG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V424L10YG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V424L10YG价格参考。Integrated Device Technology71V424L10YG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V424L10YG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V424L10YG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V424L10YG 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc）出品的一款高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为256K × 4位（即1Mb），访问时间为10ns，采用44引脚SOJ（Small Outline J-Lead）封装，工作电压为3.3V。 该器件主要面向对存取速度、可靠性和低功耗有较高要求的嵌入式与工业控制场景。典型应用场景包括： - 网络通信设备：如交换机、路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲或地址查表（LUT）； - 工业自动化系统：PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器中用于实时数据暂存和中间运算缓冲； - 测试测量仪器：数字示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存波形/状态数据的场合； - 军事与航空航天电子模块：因其宽温范围（工业级–40°C至+85°C）及稳定时序特性，适用于高可靠性嵌入式子系统； - 老一代FPGA/CPLD协处理器接口：作为外部高速数据存储器，配合Xilinx或Altera早期器件使用（需注意其异步并行接口特性）。 需注意：该型号已停产（EOL），属成熟型SRAM，现多用于维护或替代升级项目。设计中应关注替代料（如ISSI或Cypress同类3.3V异步SRAM）的引脚兼容性与时序匹配。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | IDT |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 集成电路 - IC |
| 产品手册 | http://www.idt.com/document/dst/71v424-data-sheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,IDT 71V424L10YG |
| 产品型号 | 71V424L10YG |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 商标 | IDT |
| 存储容量 | 4 Mbit |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | SOJ-36 |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最大工作电流 | 165 mA |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | 71V424 |
| 组织 | 512 k x 8 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 零件号别名 | 71V424 IDT71V424L10YG |
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