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- 型号： 71V416L10PH
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V416L10PH由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V416L10PH价格参考。Integrated Device Technology71V416L10PH封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V416L10PH参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V416L10PH 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V416L10PH 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）出品的一款高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为256K×4位（即1Mbit），访问时间为10ns，采用32引脚PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier）封装，工作电压为3.3V。 其典型应用场景包括： - 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器等，需快速、可靠的数据暂存与实时缓存； - 通信设备：在路由器、交换机、基站基带处理单元中用作FIFO缓冲、帧缓存或协议处理中间数据存储； - 嵌入式系统：作为微控制器或DSP的外部高速数据RAM，扩展片上内存不足，支持实时音视频处理、数据采集等对时序敏感的任务； - 测试测量仪器：如数字示波器、逻辑分析仪中用于高速采样数据的临时存储； - 军事/航空电子（符合工业级温度范围–40°C至+85°C）：适用于对可靠性与抗干扰性要求较高的加固型系统。 该器件不带内置电池或非易失性功能，属易失性存储器，断电数据丢失，因此多用于需纳秒级读写响应、低功耗待机及高可靠性的中短期数据缓存场景。其10ns超快访问时间与3.3V低压特性，使其在90年代末至2000年代初广泛应用于高性能嵌入式设计中，目前仍用于部分工业设备的维护升级与兼容替换。
产品参数
图文手册
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