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- 型号： 71V416L10BEI
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V416L10BEI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V416L10BEI价格参考。Integrated Device Technology71V416L10BEI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V416L10BEI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V416L10BEI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V416L10BEI 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）出品的一款高速异步CMOS静态RAM（SRAM），容量为256K × 4位（即1Mb），访问时间为10ns，采用44引脚PLCC封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），支持3.3V单电源供电。 其典型应用场景包括： - 工业控制设备：如PLC、运动控制器、HMI人机界面等，需快速、可靠的数据缓存与临时存储； - 通信设备：在交换机、路由器、基站基带模块中用作数据缓冲、FIFO暂存或协议处理中间存储； - 嵌入式系统：作为微控制器（MCU）或DSP的外部高速数据RAM，扩展片外工作内存（尤其适用于无足够片上SRAM的旧款或低成本处理器）； - 测试测量仪器：如逻辑分析仪、示波器等，用于高速采样数据的实时暂存； - 汽车电子（限工业级应用）：车载信息娱乐或ADAS原型开发中，满足宽温、高可靠性要求的非易失性缓存补充（注：该器件本身为易失性SRAM，需外配备用电源或配合NVSRAM方案）。 需注意：71V416L10BEI已属成熟/逐步停产（NRND）产品，多用于现有产线维护或对成本与兼容性敏感的工业升级项目，新设计建议评估瑞萨当前主推的低功耗、更小封装SRAM替代型号。
产品参数
图文手册
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