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- 型号： 71V35761S200BQ
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V35761S200BQ由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V35761S200BQ价格参考。Integrated Device Technology71V35761S200BQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V35761S200BQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V35761S200BQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V35761S200BQ 是 Integrated Device Technology Inc.（IDT，现属瑞萨电子）推出的一款高速同步静态RAM（SSRAM），容量为4Mb（512K × 8位），采用200MHz（5ns周期）CMOS工艺，支持突发读写操作，封装为119-pin BGA（BQ）。 其典型应用场景包括： - 网络通信设备：用作路由器、交换机中的数据包缓冲器或查找表（如CAM辅助缓存），满足低延迟、高吞吐需求； - 电信基础设施：在基站基带处理单元、ATM交换模块中提供高速暂存，支持实时信元/帧处理； - 工业与嵌入式系统：用于需要确定性访问时序的实时控制系统（如运动控制、视频采集卡缓存），其同步接口和可编程等待状态保障时序可控； - 测试与测量仪器：作为高速数据采集系统的环形缓冲区，配合FPGA或DSP实现连续流式数据暂存。 该器件不适用于大容量存储或掉电数据保持场景（非易失性），亦非通用主存替代品。其优势在于纳秒级访问、零等待突发传输及工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），适合对确定性延迟和可靠性要求严苛的中高端嵌入式应用。
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