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- 型号： 71V3558S200PF
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V3558S200PF由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V3558S200PF价格参考。Integrated Device Technology71V3558S200PF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V3558S200PF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V3558S200PF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的71V3558S200PF是一款高速、低功耗的3.3V CMOS静态RAM（SRAM），容量为256K × 18位（即4.5Mb），采用200引脚PQFP封装，访问时间为200ps（典型值），支持异步读/写操作。其主要应用场景包括： - 网络通信设备：用于路由器、交换机、防火墙等中的数据包缓存、FIFO缓冲、查找表（LUT）或控制平面暂存，满足高吞吐与低延迟需求； - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（如SDH/SONET帧处理器）中作为临时数据缓冲或协议处理中间存储； - 工业与嵌入式系统：适用于实时性要求严苛的工控PLC、数字信号处理器（DSP）协处理器缓存、视频图像处理前端帧缓存（如多通道视频采集的行/场同步缓冲）； - 测试测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中用作深度采样数据暂存，利用其快速随机访问特性实现无缝触发与回溯； - 军事与航空电子：因具备宽温（–40°C 至 +85°C）、高可靠性及抗干扰设计，可用于航电显示系统、雷达信号预处理模块的本地高速缓存。 该器件不支持DDR或突发模式，适用于需确定性低延迟访问的中小容量关键缓存场景，现已随瑞萨收购IDT而纳入其产品线，但仍在部分工业与通信设备中持续应用。
产品参数
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