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  • 型号: 71V3557S75BG
  • 制造商: Integrated Device Technology
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V3557S75BG由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V3557S75BG价格参考。Integrated Device Technology71V3557S75BG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V3557S75BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V3557S75BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V3557S75BG 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的一款高速异步SRAM(静态随机存取存储器),采用CMOS工艺,容量为128K × 36位(即4.5Mb),访问时间为7.5ns,封装为119-pin BGA(71V3557S75BG中的“75”即代表7.5ns)。  

该器件主要面向对低延迟、高可靠性及实时性要求严苛的工业与通信应用场景,典型应用包括:  
- 网络通信设备:如高端路由器、交换机、线卡及SONET/SDH传输设备中用作数据包缓存、FIFO缓冲或查找表(LUT)存储;  
- 工业自动化与控制:在PLC、运动控制器、实时I/O模块中作为高速暂存区,支持确定性响应;  
- 测试测量仪器:示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存大量实时数据的设备;  
- 军事/航空电子系统:因其宽温范围(-40°C至+85°C)、高抗干扰性和无刷新设计,适用于嵌入式实时控制系统。  

该芯片支持字节使能(UB/LB)、独立高位/低位数据总线控制,便于与多种处理器(如PowerPC、ARM接口桥接芯片或FPGA)无缝对接,常用于需要零等待状态、连续突发读写能力的嵌入式系统中。  

(注:该型号已进入瑞萨产品生命周期末期(EOL),当前多用于维护既有设备或替代升级设计。)
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