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- 型号： 71V2556S133BG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V2556S133BG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V2556S133BG价格参考。Integrated Device Technology71V2556S133BG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V2556S133BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V2556S133BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V2556S133BG 是 IDT（Integrated Device Technology，现属瑞萨电子）出品的一款高速静态RAM（SRAM），属于异步CMOS静态存储器。其关键参数包括：容量为256K × 9位（即288Kb）、工作电压3.3V、访问时间133MHz（即最大周期时间7.5ns），采用119引脚BGA封装（13×13mm），支持字节使能（UB/LB），具备低功耗待机模式。 该器件主要面向对高速、低延迟和高可靠性有严苛要求的嵌入式与通信类应用场景，典型应用包括： - 网络设备：用于路由器、交换机中的数据包缓冲、FIFO缓存、查找表（如TCAM辅助缓存）或MAC层协议处理的临时数据暂存； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中实时信号处理所需的高速中间缓存； - 工业控制与测试仪器：高速数据采集系统、逻辑分析仪、ATE（自动测试设备）中作为触发/采样深度缓冲区； - 军事/航天嵌入式系统：在抗辐射加固（需配合外围设计）或高可靠性板卡中提供确定性存取的本地内存资源（因SRAM无刷新延迟，时序可控性强）。 需注意：该型号已停产（End-of-Life），当前多用于存量设备维护或替代设计评估；实际选用时应结合温度等级（工业级–40℃~+85℃）、电源稳定性及PCB布线对信号完整性（尤其是地址/数据总线）的要求进行综合验证。
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