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  • 型号: 71V124SA12PH
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V124SA12PH由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V124SA12PH价格参考。Integrated Device Technology71V124SA12PH封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V124SA12PH参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V124SA12PH 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V124SA12PH 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的一款高速异步静态RAM(SRAM),容量为128K × 8位(即128KB),访问时间为12ns,采用PLCC-32封装,工作电压为3.3V。该器件无内置电池,不带非易失性特性,属通用型高速缓存/暂存存储器。

典型应用场景包括:  
- 工业控制设备:用于PLC、运动控制器中的实时数据缓冲与中间运算存储,满足低延迟、高可靠读写需求;  
- 通信基础设施:在交换机、路由器或基站的报文缓存、FIFO队列、地址表暂存等环节,利用其零等待、全静态特性保障数据吞吐效率;  
- 嵌入式测试与测量仪器:如数字示波器、逻辑分析仪中作为高速采集数据的临时存储,配合FPGA或DSP实现快速存取;  
- 老一代或空间受限的军用/航空电子系统:因PLCC封装便于插拔和抗振,且温度范围宽(商用/工业级可选),适用于对成熟、稳定器件有要求的加固设计;  
- FPGA/CPU协处理器扩展内存:作为主处理器(如PowerPC、ARM9等)的外部高速RAM,弥补片内存储不足,提升系统响应性能。

需注意:该型号已进入瑞萨的“NRND”(Not Recommended for New Designs)状态,新品设计建议选用更现代的低功耗、更高密度替代品(如IS61WV系列或瑞萨新型QDR/DDR SRAM),但其仍在部分产线维护及备件市场中使用。
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