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  • 型号: 71V124SA10TY
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V124SA10TY由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V124SA10TY价格参考。Integrated Device Technology71V124SA10TY封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V124SA10TY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V124SA10TY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V124SA10TY 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)出品的一款高速异步静态RAM(SRAM),容量为128K × 8位(即128KB),访问时间10ns,采用CMOS工艺,3.3V单电源供电,封装为44引脚TSOP-II。

其主要应用场景包括:  
- 工业控制设备:用于PLC、运动控制器等需快速数据暂存与实时响应的系统,凭借低延迟和高可靠性保障控制指令及时执行;  
- 网络通信设备:在交换机、路由器的数据包缓存、FIFO缓冲及地址表暂存中发挥关键作用;  
- 嵌入式系统与DSP协处理:作为高性能微控制器或数字信号处理器(如瑞萨SH系列、RX系列)的片外高速缓存/工作RAM,弥补片内RAM容量不足;  
- 测试测量仪器:如逻辑分析仪、示波器中用于高速采样数据的临时存储;  
- 医疗成像设备:在超声、内窥镜等需实时图像帧缓存的前端模块中提供稳定、无刷新的随机存取能力。

该器件不带内置电池或非易失性功能,属易失性存储器,适用于需频繁读写、低功耗待机及确定性时序的关键嵌入式场景。其工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)和符合JEDEC标准的TSOP封装,也使其适配于严苛环境下的紧凑型设计。
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