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  • 型号: 71V016SA20BFG8
  • 制造商: Integrated Device Technology
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V016SA20BFG8由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V016SA20BFG8价格参考。Integrated Device Technology71V016SA20BFG8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V016SA20BFG8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V016SA20BFG8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V016SA20BFG8 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)出品的一款高速异步静态RAM(SRAM),容量为1Mb(128K × 8位),访问时间为20ns,采用3.3V供电,封装为SOJ-32(无铅、符合RoHS的FBGA变体,BFG8表示卷带包装的PBGA-48封装)。  

该器件主要面向对读写速度、低功耗和高可靠性有要求的嵌入式系统场景:  
- 工业控制设备:如PLC、运动控制器中的缓存/暂存区,用于实时数据交换与指令缓冲;  
- 通信设备:在路由器、交换机或基站的接口模块中作为FIFO或帧缓存,支持高速数据包临时存储;  
- 测试测量仪器:数字示波器、逻辑分析仪等需快速采集并暂存大量采样数据的场合;  
- 医疗电子设备:如影像处理前端模块,用作图像数据的高速缓冲;  
- 汽车电子(非AEC-Q认证版本需谨慎):适用于车载信息娱乐系统中非安全关键的显示缓存或音频处理缓冲(注意:该型号非车规级,若用于汽车需确认具体应用等级及可靠性要求)。  

其20ns超快访问时间、零等待读写特性及CMOS工艺带来的低功耗优势,使其特别适合替代老式慢速SRAM或作为微控制器/ASIC/FPGA的片外高速工作内存。但需注意:该器件为异步SRAM,不带内置刷新电路,无需像DRAM那样管理刷新时序,简化了系统设计。  

(注:BFG8后缀为环保无铅卷带包装,适用于自动化贴片生产。)
产品参数 图文手册 常见问题
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