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- 型号： 71V016SA10BF
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V016SA10BF由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V016SA10BF价格参考。Integrated Device Technology71V016SA10BF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V016SA10BF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V016SA10BF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V016SA10BF 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为1Mb（128K × 8位），访问时间10ns，采用3.3V单电源供电，封装为100引脚FBGA（10×10mm）。其典型应用场景包括： - 工业控制与自动化设备：用于PLC、运动控制器、HMI等需快速数据暂存和确定性响应的系统，SRAM的零等待读写特性保障实时性。 - 通信设备：在交换机、路由器、基站基带模块中用作缓存、FIFO或帧缓冲，支持高速数据包处理与协议栈临时存储。 - 嵌入式系统与网络终端：如网络打印机、POS终端、医疗仪器主控板，作为CPU外部扩展数据存储器，弥补片上RAM容量不足。 - 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需高速采集并暂存大量采样数据，该器件可提供稳定、低延迟的随机存取能力。 - 汽车电子（非安全关键域）：车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘显示控制单元中用于图形缓冲或配置参数缓存（需确认具体车规版本；71V016SA10BF为商用级，非AEC-Q100认证，故不适用于ASIL-B及以上功能安全应用）。 注意：该器件为CMOS工艺、无内置电池，不具备掉电保持功能，不适用于需断电保存数据的场景（如NVSRAM或EEPROM替代用途）。
产品参数
图文手册
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