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- 型号： 71T75602S100PF
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71T75602S100PF由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71T75602S100PF价格参考。Integrated Device Technology71T75602S100PF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71T75602S100PF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71T75602S100PF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71T75602S100PF 是 Integrated Device Technology Inc（IDT，现属瑞萨电子）推出的一款高速同步双端口静态RAM（SRAM），容量为256K × 18位（即4.5Mbit），采用100引脚TQFP封装，工作频率达100MHz（10ns访问时间）。 其典型应用场景包括： - 通信设备：用于网络处理器、交换机/路由器中的数据包缓冲、FIFO队列、地址查表（如CAM预处理缓存）及多总线仲裁场景，利用其双端口特性实现读写并行操作（端口A与B可独立、异步访问）。 - 工业控制与实时系统：在PLC、运动控制器中作为高速共享内存，支持主控CPU与DSP/FPGA间低延迟数据交换。 - 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需高速采集与实时处理的设备中，用作深度数据缓存或触发信息暂存。 - 军事/航空电子：因具备工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）和高可靠性，适用于抗干扰要求严苛的嵌入式实时系统。 该器件不适用于大容量存储或非易失场景（非Flash/DDR），核心价值在于确定性低延迟、无冲突双端口访问能力，适合对时序敏感、需硬件级并行读写的嵌入式中间层缓存应用。
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