Datasheet下载- 型号： 70V631S10BFG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供70V631S10BFG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 70V631S10BFG价格参考。Integrated Device Technology70V631S10BFG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载70V631S10BFG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有70V631S10BFG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的70V631S10BFG是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），属于双端口存储器，容量为128K x 9位，采用高速CMOS工艺制造，支持独立的读写操作。 该器件主要应用于需要高速数据访问和并行处理的场景，常见于通信设备、网络交换机和路由器中，用于缓存和快速处理数据包。此外，它也适用于工业控制、测试设备和高性能计算系统，满足对实时性和可靠性要求较高的场合。 70V631S10BFG采用100引脚TQFP封装，工作温度范围为工业级（-40℃至+85℃），适合在较严苛环境下稳定运行。其双端口架构允许两个独立系统同时访问存储器，提升系统效率和数据吞吐能力。 综上，该SRAM适用于通信、工业控制、测试设备和高性能计算等对速度与可靠性有较高要求的电子系统中。
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