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- 型号： 5LP01C-TB-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5LP01C-TB-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LP01C-TB-H价格参考。ON Semiconductor5LP01C-TB-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5LP01C-TB-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5LP01C-TB-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 5LP01C-TB-H 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，采用超小型 TSOP-6 封装（尺寸约 2.9 mm × 1.6 mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 120 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.3 nC）和低阈值电压（VGS(th) ≈ –0.5 V 至 –1.2 V），适合低压、小电流开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备（智能手表、手环）中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速响应； ✅ USB 接口保护与限流开关：作为 USB 端口的反向电流阻断器件或过流保护开关，防止电池倒灌，配合限流IC提供可靠端口防护； ✅ LED 驱动与背光控制：在小型 LCD 屏幕或指示灯电路中，用作低侧/高侧驱动开关（需搭配合适拓扑），实现 PWM 调光； ✅ DC-DC 转换器辅助开关：在同步降压或升降压转换器中，作为辅助开关（如自举电路或低功耗模式下的辅助路径），提升轻载效率； ✅ IoT 传感器节点电源选通：在电池供电的无线传感模块中，控制 MCU 外设（如传感器、RF 收发器）的供电，延长续航。 其小尺寸、低静态电流（IDSS < 1 µA）及 AEC-Q101 未认证（属标准工业级）特性，使其更适用于消费类与通用工业嵌入式系统，而非车规主功能。不推荐用于大电流（>0.5 A连续）、高功率或高温严苛环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 70MA CP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 5LP01C-TB-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.4pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 欧姆 @ 40mA，4V |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70mA （Ta） |
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