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- 型号： 5KP60CE3/TR13
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5KP60CE3/TR13由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5KP60CE3/TR13价格参考。American Microsemiconductor, Inc.5KP60CE3/TR13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5KP60CE3/TR13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5KP60CE3/TR13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
5KP60CE3/TR13 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 5kW 瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于单向TVS，击穿电压典型值为60V（VBR ≈ 60V），钳位电压（VC）约96.8V（在峰值脉冲电流IPP≈51.6A时），适用于高能量瞬态浪涌防护。 典型应用场景包括： - 工业电源系统：用于DC输入端（如24V/48V供电总线）防雷击、开关浪涌及感性负载关断引起的反向尖峰； - 通信设备接口保护：如RS-485、CAN总线前端，配合共模扼流圈与GDT构成多级防护，吸收IEC 61000-4-5（1.2/50μs & 8/20μs组合波）的浪涌能量； - 电力电子装置：变频器、UPS、光伏逆变器的直流母线或控制电路输入端，防止因电网波动或继电器动作引发的过压损坏后级MOSFET或IC； - 轨道交通与能源基础设施：在宽温、高可靠性要求环境中，提供符合AEC-Q101或工业级标准的浪涌防护（该器件具备Pb-free、符合RoHS及JESD22-A110抗冲击能力）。 其TO-218封装具备优异散热性，适合通孔安装及大电流泄放需求。需注意：单向结构仅适用于直流或正向偏置线路，不可用于交流信号线；实际设计中应配合保险丝或PTC实现过流协同保护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 60VWM 107VC P600 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11087-sd6a-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 5KP60CE3/TR13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | P600 |
| 功率-峰值脉冲 | 5000W （5kW） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | P600，轴向 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-击穿（最小值） | 66.7V |
| 电压-反向关态（典型值） | 60V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 107V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 46.7A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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