Datasheet下载- 型号： 5KP33AE3/TR13
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5KP33AE3/TR13由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5KP33AE3/TR13价格参考。American Microsemiconductor, Inc.5KP33AE3/TR13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5KP33AE3/TR13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5KP33AE3/TR13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
5KP33AE3/TR13 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 5kW 瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于单向TVS，击穿电压典型值为36.7V，钳位电压约53.3V（在峰值脉冲电流5kA下），封装为P600（轴向引线）。 其主要应用场景包括： - 工业电源与电机驱动系统：用于保护DC总线、变频器控制电路及PLC输入/输出端口，抵御雷击感应浪涌或开关操作引起的高压瞬变。 - 通信设备接口防护：如RS-485、CAN总线等工业通信线路的前端ESD与EFT防护（需配合共模扼流圈等使用）。 - 可再生能源系统：光伏逆变器直流侧输入端，抑制雷电浪涌及电网扰动传导的过电压。 - 交通运输电子：车载电源模块、轨道交通辅助电源中，应对负载突卸、抛负载（Load Dump）等严苛瞬态工况（需注意其单向特性适配正向偏置电路）。 该器件具有高浪涌功率（5kW）、低箝位比和快速响应（<1ns），适用于要求高可靠性、宽温度范围（–65°C 至 +175°C）的恶劣环境。但需注意：TR13表示卷带包装，设计时应确保PCB布局短而宽以降低寄生电感，并建议与保险丝或PTC协同实现过流保护。不适用于交流线路直接防护或双向电压波动场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 33VWM 53.3VC P600 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11087-sd6a-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 5KP33AE3/TR13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | P600 |
| 功率-峰值脉冲 | 5000W （5kW） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | P600，轴向 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-击穿（最小值） | 36.7V |
| 电压-反向关态（典型值） | 33V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 53.3V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 93.8A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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